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科技界突破性进展:原子级别存储器! 由一种二维材料制成

2024-06-28 23:11:08 [百科] 来源:避面尹邢网

科技界突破性进展:原子级别存储器!科技

作者:雪花 存储 据外媒New Atlas报道,界突进展得克萨斯大学的破性工程师们创造了有史以来最小的记忆存储设备之一,由一种二维材料制成,原级横截面面积只有一平方纳米。别存

 在科学家的储器努力下,已经造出了世界最小的科技存储单元,其尺寸真的界突进展是小到让人惊叹。

据外媒New Atlas报道,破性得克萨斯大学的原级工程师们创造了有史以来最小的记忆存储设备之一,由一种二维材料制成,别存横截面面积只有一平方纳米。储器

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这种被称为 “原子电阻”的科技装置是通过单个原子的运动来工作的,这将为具有难以置信的界突进展信息密度的更小的记忆系统铺平道路。

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这种新设备属于一类新兴的破性电子器件,称为记忆电阻(Memristors),它使用电阻开关存储数据。从本质上讲,当某种材料暴露在一定的电压下时,其电阻可以切换,变得更强或更弱。这种现象可用于将数据写入设备,随后可测量其相对电阻以“读取”存储的数据。

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该团队表示,新装置是有史以来最小的原子存储器单元。二硫化钼被制作成尺寸为1×1纳米的薄片,厚度只有一个原子。 如果要扩大规模,它可以用来制造每平方厘米约25TB的存储容量的芯片,这比目前的闪存所能提供的容量高100倍左右。它运行所需的能量也更少 。

 

责任编辑:姜华 来源: 太平洋电脑网 存储器

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