在国际固态电路会议ISSCC 2009上，小尺Intel拿出了32nm Westmere处理器，寸N存SanDisk也同样带来了32nm工艺，研艺最只不过会用在NAND闪存上。小尺
SanDisk宣布与东芝合作研发32nm MLC NAND闪存存储技术，寸N存生产32Gb 3bit/cell(X3)闪存芯片，研艺最可广泛用于高速存储卡和固态硬盘等产品。小尺
SanDisk的寸N存***代X3技术是在一年半前的56nm工艺上实现的，现在43nm工艺上的研艺最是第二代，即将配合32nm的小尺则是第三代技术。
SanDisk称，寸N存规划中的32nm 32Gb X3芯片将是最小尺寸的NAND闪存核心，面积仅仅113平方毫米，同时存储密度也是***的，能在相似的核心面积上提供两倍于43nm MicroSD芯片的容量，另外借助SanDisk的专利技术All-Bit-Line，能有效确保足够的写入性能。
SanDisk预计将在今年下半年开始投产这种32nm 32Gb X3闪存。
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