在日前的个能官宣工艺台积电技术论坛上,台积电除了公布5nm、打的都没4nm、有台3nm工艺进展之外,积电计划近乎极限还透露了关于2nm的个能官宣工艺布局。
台积电宣布,打的都没公司已经在新竹购买了土地,有台将建设工厂和新的积电计划近乎极限研发中心,同时雇佣8000多名工程师投入,个能官宣工艺推动2nm节点的打的都没研发。
与此同时,有台台积电还表示2nm将使用GAA(环绕栅极晶体管)技术,积电计划近乎极限而不是个能官宣工艺3nm的FinFET(鳍式场效应晶体管)。消息称台积电使用的打的都没是圆形鳍柱,典型尺寸比现有工艺缩小30%。有台
台积电方面称,2nm芯片预计在2022年底进入消费终端,目前已成功找到切入GAA路径。
相较于保守的台积电,作为竞争对手三星似乎更为激进,此前就已宣布将在3nm节点上使用GAA技术(板片状结构多路桥接鳍片),相较于7nm FinFET,可以减少50%的能耗,增加30%的性能,将于2021年风险试产,2022年大规模量产。
而且有意思的是,三星公开宣布要到2030年超过台积电,取代后者的代工地位。
从技术方面来看,GAA的制造和传统FinFET有着相似之处,但前者技术要求更高,难度也更大,成本相应提升,虽然各家对于GAA工艺的鳍片形状不同,但本质上基本一样。
此外,网络上一直存在节点的另一种说法,即2nm是制程工艺的终点,其实从技术来看,目前芯片使用的是横向纳米线,仅适用于3nm和2nm,以下几乎不可能实现,所以才会存在这种说法,但要知道的是,半导体工艺现已演进到了2nm,比它更强的难道不存在吗?
(责任编辑:时尚)
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