三星去年底开始批量生产采用第8代V-NAND技术的星第代产品,为1Tb(128GB)TLC 3D NAND闪存芯片,星第代达到了236层,星第代相比于2020年首次引入双堆栈架构的星第代第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。而据DigiTimes最新消息称,星第代三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的星第代产品,将超过300层,星第代并将继续沿用双堆栈架构。星第代
所谓双堆栈架构,即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈,星第代然后在原有基础上再构建另一个堆栈。星第代超过300层的星第代第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度,使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘,或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。
据了解,三星为了保证产量,可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构,层数将达到430层。这意味着会增加原材料的使用量,并增加每个3D NAND晶圆的成本。此前三星公布的路线图表明,其第九代V-NAND正在开发中计划于2024年量产。到2030年,三星设想NAND堆叠超1000层,以更好地支持未来的数据密集型技术。
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