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SK海力士展示PLC闪存颗粒 更大容量且速度媲美TLC 带来更大的且速单枚颗粒容量

2024-06-28 16:08:15 [百科] 来源:避面尹邢网
在近日召开的海力FMS 2023闪存峰会上,SK海力士就展示了其新型PLC(5-Bit MLC)技术的士展示P闪存研究成果。

目前储存厂商正在努力提升储存密度,颗粒多家厂商也官宣将发布更多堆叠层数的容量3D NAND。而除了提高层数外,且速更多厂商也在研究其他增加储存密度的度媲方法。目前,海力4bit单元(QLC)型3D NAND闪存已经实现商业化,士展示P闪存而且SSD受益于此也已经变成了“白菜价”。颗粒而目前已经有厂商开始研发下一代的容量5bit单元(PLC)方案,带来更大的且速单枚颗粒容量。

SK海力士展示PLC闪存颗粒 更大容量且速度媲美TLC 带来更大的且速单枚颗粒容量

SK海力士展示PLC闪存颗粒 更大容量且速度媲美TLC 带来更大的且速单枚颗粒容量

而在近日召开的FMS 2023闪存峰会上,SK海力士就展示了其新型PLC(5-Bit MLC)技术的海力研究成果。其展示的士展示P闪存技术原理类似铠侠2019年开发的Twin BiCS FLASH技术,简单来说就是颗粒用两个2.5bit单元来组成一个5bit单元,在5bit单元中,一个存储单元中可以包含32个不同的阈值电压,而常规方式下用PLC写入并验证32个不同的阈值电压所需时间是TLC的近20倍,这显然是用户无法接受的。因此,SK海力士设计了一种新型PLC,将一个5bit单元分为两个2.5bit点位,每个点也存储2.5bit。然后综合各个点的数据获得5bit数据,这样就可以使PLC写入时间与TLC(3bit单元)大致相同。这样既增加了堆叠密度,同时在速度上也不会带来较大影响。

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实际上,已经被SK海力士收购的Solidigm一年前已经展示过首款采用PLC-NAND的SSD,它沿用了当前QLC-NAND一样的192层闪存,但由于每个单元由5bit(而非4bit)点组成,其密度增加至23.3Gbit/mm²,创下了最高记录;而凭借321层的第9代新型TLC-NAND,预计SK海力士有望达到20Gbit/mm²以上的密度。

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