日前,西数西部数据官方宣布,布写推出旗下符合JEDEC最新规范的入破UFS 3.1闪存,具体型号为iNAND MC EU521 。西数
在官方定义中,布写这款闪存是入破为5G手机、平板等准备的西数,可用于游戏、布写AR/VR、入破机器学习、西数人工智能等场景加速。布写
该系列闪存共有四种容量可选,入破分别是西数64GB、128GB、布写256GB以及512GB,入破均采用了96层3D NAND闪存设计,封装规格为11.5×13×1.0mm。
相比UFS 3.0来说,UFS 3.1主要提升在于更高的写入性能、更低的功耗及更稳定的性能管理。
在该系列闪存中,西数引入了第六代SmartSLC缓存技术,最高写入速度可达800MB/s,而且号称容量满载也不会降速。
此前其它厂商的UFS 3.0闪存似乎都没有64GB型号,因此看到64GB版本基本上都能确定不是UFS 3.0闪存。不过今后这一情况就不太一样了,乞丐版的5G手机很有可能会选择西数的64GB UFS 3.1来拉低入门价格。
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