三星电子宣布，内存年变已完成开发全球首款32Gb(4GB) DDR5内存芯片，单条大万迄今业界密度最高，内存年变可据此打造1TB容量的单条大万内存条。
就在此前5月份，内存年变三星刚刚开始量产16Gb(2GB)容量的单条大万DDR5内存芯片，频率高达7200MT/s。内存年变
单条1TB内存来了！单条大万三星首发32Gb DDR5芯片：40年增长50万倍
最新的32Gb DDR5内存芯片，继续采用12nm级别工艺制造，相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款内存产品，容量已经增加了50多万倍！
不过，三星并未披露具体频率。
此前的128GB DDR5内存条，必须使用TSV硅穿孔技术，堆叠多颗芯片才能达成，而现在有了单颗64Gb，就不需要TSV堆叠了，从而将功耗降低大约10％。
单条1TB内存来了！三星首发32Gb DDR5芯片：40年增长50万倍
只需要8颗这样的芯片，就能达成单条32GB容量。
更进一步，使用8-Hi 3DS堆叠技术将8颗32Gb芯片整合在一起，然后在一条内存上安装32颗，就能达成单条1TB容量！
有了它，AMD EPYC 9004这样支持12通道内存的服务器平台上，就可以实现单路系统12TB内存。
三星计划在今年底量产32Gb DDR5内存芯片。
责任编辑：武晓燕 来源： 快科技 DDR5内存芯片(责任编辑：热点)
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