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美光推新16Gb DDR5 7200内存 采用最新1β工艺制造 采用了high-k CMOS器件技术

2024-06-30 21:01:42 [百科] 来源:避面尹邢网
​美光宣布,美光推出全新的推新16Gb DDR5内存,速率可达7200MT/s,存采使用最新的用最1β(1-beta)工艺节点生产。

美光宣布,新β推出全新的工艺16Gb DDR5内存,速率可达7200MT/s。制造美光表示DRAM使用最新的美光1β(1-beta)工艺节点生产,采用了high-k CMOS器件技术,推新相比上一代产品,存采性能提升了50%,用最每瓦性能提高了33%,新β现已交付给所有数据中心和PC客户。工艺

美光推新16Gb DDR5 7200内存 采用最新1β工艺制造 采用了high-k CMOS器件技术

美光推新16Gb DDR5 7200内存 采用最新1β工艺制造 采用了high-k CMOS器件技术

美光去年末已经宣布推出了1β工艺节点,无论性能、美光位密度还是电源效率上都有显著的收益,而且还能降低DRAM成本,将带来广泛的市场优势。基于1β工艺节点打造的DDR5内存覆盖了4800MT/s至7200MT/s的范围,允许将计算能力推向更高的性能水平,支持跨数据中心和客户端平台的人工智能(AI)训练和推理、生成式人工智能、数据分析和内存数据库(IMDB)等应用。

美光推新16Gb DDR5 7200内存 采用最新1β工艺制造 采用了high-k CMOS器件技术

美光核心计算设计工程集团公司副总裁Brian Callaway表示,采用1β工艺节点的DDR5内存进入大批量生产及应用是行业内的一个重要里程碑,与生态系统合作伙伴及客户合作将推动高性能内存更快地被采用。美光将会有多款产品采用1β工艺节点,除了DDR5外,还包括LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。美光计划继续投资数十亿美元,将晶圆厂转变为技术领先、高度自动化、可持续发展、以及人工智能驱动的设施,其中包括对日本广岛工厂的投资。据了解,这间工厂将采用1β工艺节点批量生产DRAM。

(责任编辑:知识)

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