日前,存GB层成功美光集团宣布,闪存已经成功试产了全球第一个将LPDDR5 DRAM内存颗粒、合体96层堆叠3D NAND闪存颗粒整合封装在一起的存GB层成功芯片“uMCP5”。
按照官方说法,闪存美光uMCP5单芯片整合了12GB容量、合体6400MHz频率、存GB层成功第二代10nm级工艺制造的闪存双通道LPDDR5内存以及256GB容量、96层堆叠、合体UFS接口的存GB层成功3D TLC闪存。
此外,闪存芯片中还整合有板载控制器,合体接口为297针标准BGA封装。存GB层成功
官方称,闪存uMCP5相比传统内存、合体闪存双芯片组合可以节省40%的面积,同时内存和存储带宽比上代方案提升50%。
目前,该芯片已经向客户出样,具体量产时间未知。
(责任编辑:综合)
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