性能大提升！台积电官宣：3nm安排、旗舰SoC都要用 升台分别是积电N5和N5P

日前，大提C都台积电举办了第26届技术研讨会，升台披露了旗下最新工艺制程的积电进度，包括最新5nm工艺，官宣以及更先进的安排3nm、4nm工艺。旗舰

台积电表示，大提C都公司规划了两代5nm工艺，升台分别是积电N5和N5P，其中N5引入EUV（极紫外光刻）技术，官宣目前已大规模量产。安排据说苹果A14和麒麟9000系列均使用了这项工艺打造。旗舰

按照官方的大提C都说法，相比目前旗舰SoC使用的升台N7，N5的积电功耗降低了30%、性能提升15%，逻辑器件密度提升了1.8倍。

N5P是基于N5的改良版，还在开发中，规划2021年量产，相比第一代5nm功耗进一步降低10%，且性能提升了5%。

然后是更为先进的3nm、4nm，从命名来看，4nm是5nm的进一步改良，将于明年晚些时候风险试产，2022年量产，使用N5的客户能够顺利过渡到4nm，基本可以视为5nm的最终改良版。

这和之前6nm工艺有些相同，它也是7nm工艺的升级版，优势在于性能、功耗继续优化，同时设计上彼此兼容，客户能以几乎相同的成本拿到新工艺。

而3nm才是5nm真正的迭代升级，同样是在明年晚些时候风险试产，2022年投入大规模量产。台积电表示，相比5nm工艺，3nm将可以带来25~30%的功耗减少以及10~15%的性能提升。

不过台积电并不是唯一一家量产3nm工艺的厂商，三星此前透露明年就要把3nm量产安排，并且两家核心技术不尽相同，台积电使用的是FinFET（鳍式场效应晶体管），三星则是改用Gate-All-Around（GAA，环绕栅极晶体管），两种技术差异需等最终量产为准。

按照三星的说法，3nm可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%，但需要注意的是，三星对比的是7nm工艺。

(责任编辑：休闲)