快科技1月17日消息,为降苹果的低成升级越来越看不懂了,iPhone 16系列要用速度更慢的本苹QLC闪存。
据供应链最新消息,果摒e改更低苹果可能会改变存储容量,闪存寿命不再使用三层单元(TLC)NAND 闪存,为降而是低成在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元(QLC)NAND闪存。
与TLC相比,本苹QLC的果摒e改更低优势在于每个存储单元可以存储四位数据,在使用相同数量的闪存寿命单元时比TLC储存更多的数据,或者使用更少的为降单元储存更多的数据,而这可以降低生产成本。低成
此外,本苹QLC闪存被认为不如TLC闪存可靠,果摒e改更低写入数据的闪存寿命耐久性会降低,因为每个单元写入的次数更多,因为每个单元多包含一个位。
QLC NAND闪存可以存储16种不同的电荷电平,而TLC仅能存储8种电荷电平。读取数据时,由于电荷量增加,裕量减少,这就有可能因噪声增加而导致位错误增加。
如果苹果继续执行这一计划,一些版本的iPhone 16 用户可能会遇到数据写入速度低于低容量用户的情况。
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