随着制程工艺的内存进步,DRAM内存芯片也面临着CPU/GPU一样的不梦微缩难题,解决办法就是刻前狂D狂飙上EUV光刻机,但是最单条设备实在太贵,现在还要榨干DUV工艺最后一滴,后疯DDR5内存有望实现单条1TB。内存
作为第一家推出24Gb核心DDR5的不梦内存公司,美光日前又创造了一个新纪录——推出了32Gb核心的DDR5内存颗粒,使用的是比前者1α工艺更先进的1β工艺,这也是美光最后的非EUV工艺了,再往后不想上EUV也没招了。
美光没有透露32Gb核心内存颗粒的具体速度,但是这种内存最大的优势就是可以堆栈出单条1TB的内存条,只需要32个8-Hi堆栈即可,现在的24Gb核心还做不到这么大容量。
当然,美光实际上并不会推出这么大的内存条,明年量产32Gb核心之后,首先是单条128GB,还有192GB、256GB,而512GB、1TB的还不在路线图上,2026年前都没戏。
另外,在HBM这条路线上,美光刚推出了HBM3 Gen2(这都什么命名方式,跟骁龙学的),做到了24GB容量,带宽1.2TB/s。
后续还有36GB容量的,2026年之后则是下一代HBM(HBM4?),容量36GB到64GB,带宽1.5到2TB/s以上了。
显存GDDR路线上,2025年会推出GDDR7,频率32Gbps,核心容量16-24Gb,带宽128GB/s以上。
责任编辑:武晓燕 来源: 快科技 美光32Gb核心(责任编辑:知识)
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